快科𽤄�日消息，据报道，ASML�年第一季财报会议上披露了EUV光刻机分别在低数值孔径（Low NA）与高数值孔径（High NA）机种方面的最新路线图。

会议上，ASML释放了两条让台积电三星大客户安心的重磅信息。其一是Low NA EUV技术将继续服役�年；其二是High NA EUV加速走向量产阶段。

ASML CFO戴厚杰明确表示，2026年Low NA EUV出货至�台，2027年至�台，管理层已将供应链准备至Low NA 90台/年的产能能力。

�年，Low NA EUV设备每小时晶圆处理能力将从目前�片提升�片，产能增�%。

客户报告显示，High NA技术可将EUV光刻所需掩模数量𱐏块减少𳗡块，工艺步骤�步压缩�步。该技术可覆盖未񀧵񑎂个制程节点，显著降低芯片制造成本。

ASML计�年推出NXE:5200C系统，主要面𴢬nm及以下制程节点。

三星电子已率先行动，计划采购两套High NA EUV设备用𱆎nm制程量产，分别�年底�年初交付。

台积电方面，首台High NA EUV光刻机已移送至全球研发中心，用于A14等未来先进工艺的开发。

此外，SK海力士已宣布订购价值�亿美元的EUV设备，三星电子也下达了�亿�亿美元的订单。

ASML同步上�年全年净销售额预期�亿�亿欧元，同比增�%�%。